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2SD2210	文件：53.28 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Features ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ● Low on resistance ron. ● High forward current transfer ratio hFE. 文件：53.28 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2211	文件：51.69 Kbytes Page：2 Pages	Power Transistor Features High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V) High transition frequency.(fT = 80MHZ) 文件：51.69 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2211	文件：138.4 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (160V , 1.5A) 文件：138.4 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2212	文件：89.73 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DR；Package：SOT-89；Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60짹10V, 2A) Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to L loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode. 文件：89.73 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2212T100	文件：107.08 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60V,10V, 2A) Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to L loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode. 文件：107.08 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2213	文件：32.82 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application Low frequency power amplifier 文件：32.82 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2213	文件：160.55 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application Low frequency power amplifier 文件：160.55 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2213TZ	文件：160.55 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application Low frequency power amplifier 文件：160.55 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2215	文件：49.44 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(Silicon NPN triple diffusion planar type) Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification ■ Features ● High collector to base voltage VCBO ● I type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printed circuit board, etc. of small electronic equipment. 文件：49.44 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD2215	文件：252.1 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= 0.3A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：252.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SD2217
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
45MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD2109,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>1500
图片代号：
B-45
vtest：
300
htest：
45000000
atest：
0.3
wtest：
25

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
300
VCEO (V)：
300
Vebo (V)：
7
IC (A) @25 °C：
0.3
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
1500
hFE max.：
30000
Pc (W)：
25
fT (MHz) typ.：
45
Cob (pF) typ.：
22
Package Type：
MP-45
Production Status：
EOL

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