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2SD2164	文件：128.05 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING The 2SD2164 is a single power transistor developed especially for high hFE. This transistor is ideal for simplifying drive circuits and reducing power dissipation because its hFE is as high as that of Dar 文件：128.05 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD2165	文件：118.5 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING The 2SD2165 is a single power transistor developed especially for high hFE. This transistor is ideal for simplifying drive circuits and reducing power dissipation because its hFE is as high as that of Dar 文件：118.5 Kbytes 页数：5 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD2165	文件：240.49 Kbytes Page：7 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING 文件：240.49 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2165	文件：194.67 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 800(MIN)@ (VCE= 5V, IC= 1A) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat) =1V(MIN)@ (IC = 3V, IB= 30mA) • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for use low frequ 文件：194.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2166	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2166Q	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2166R	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2167	文件：68.23 Kbytes Page：3 Pages	丝印：T100；Package：MPT3；Power Transistor (31/-4V, 2A) 文件：68.23 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2167	文件：43.04 Kbytes Page：1 Pages	丝印：T100；Package：MPT3；Power Transistor (60V, 3A) 文件：43.04 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2162_15	文件：235.71 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR 文件：235.71 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SD2163
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1591,2SD1830,2SD2105,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=6000
图片代号：
B-38
vtest：
150
htest：
999900
atest：
10
wtest：
30

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
150
VCEO (V)：
100
Vebo (V)：
8
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
10
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
1000
hFE max.：
30000
Pc (W)：
30
Package Type：
MP-45F
Production Status：
EOL

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更多2SD216供应商更新时间2020-4-2 17:49:00

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