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2SD2166	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2166	文件：787.61 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. 文件：787.61 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SD2166	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
2SD2166Q	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2166R	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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