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2SD2206	文件：160.42 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA) 文件：160.42 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2206	文件：141.5 Kbytes Page：4 Pages	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA) 文件：141.5 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2206	文件：141.5 Kbytes Page：4 Pages	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications 文件：141.5 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2206	文件：119.18 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) 文件：119.18 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2206	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor) Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications	Toshiba 东芝	Toshiba
2SD2206A	文件：141.5 Kbytes Page：4 Pages	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA) 文件：141.5 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2206_06	文件：119.18 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) 文件：119.18 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2206_09	文件：141.5 Kbytes Page：4 Pages	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications 文件：141.5 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2206(T6CNO,A,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206(TE6,F,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

型号：
2SD2206
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1978,2SD1981,
最大耗散功率：
0.9W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
A-12
vtest：
100
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
0.9

详细参数

型号：
2SD2206
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Silicon NPN Epitaxial Type(Darlington Power Transistor)

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