2SD2206(TE6,F,M)技术资料参数批发供应东芝-114ic电子网

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2SD2206(TE6,F,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A TO92MOD	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206A	文件：141.5 Kbytes Page：4 Pages	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA) 文件：141.5 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2206	文件：160.42 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA) 文件：160.42 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2206	文件：119.18 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) 文件：119.18 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2206	文件：141.5 Kbytes Page：4 Pages	Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications 文件：141.5 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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更多2SD2206(TE6,F,M)供应商更新时间2026-10-21 15:01:00