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2SD221	文件：37.73 Kbytes Page：1 Pages	NPN Transistor 文件：37.73 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD2210	文件：42.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification) Silicon NPN epitaxial planer type For low-voltage output amplification For muting For DC-DC converter ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● Low ON resistance Ron. ● High foward current transfer ratio hFE. 文件：42.09 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD2210	文件：53.28 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Features ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ● Low on resistance ron. ● High forward current transfer ratio hFE. 文件：53.28 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2211	文件：51.69 Kbytes Page：2 Pages	Power Transistor Features High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V) High transition frequency.(fT = 80MHZ) 文件：51.69 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2211	文件：138.4 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (160V , 1.5A) 文件：138.4 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2212	文件：89.73 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DR；Package：SOT-89；Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60짹10V, 2A) Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to L loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode. 文件：89.73 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2212T100	文件：107.08 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60V,10V, 2A) Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to L loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode. 文件：107.08 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2213	文件：160.55 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application Low frequency power amplifier 文件：160.55 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2213	文件：32.82 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application Low frequency power amplifier 文件：32.82 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2213TZ	文件：160.55 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application Low frequency power amplifier 文件：160.55 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SD221
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
110V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC141,BC300,BSX47,BSW39,BSW67,2N1990,2N2102,2N2405,3DK10C,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
110
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.5

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
160.0
Collector current Io(Ic) [A]：
1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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