2SD2206分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SD2206 |
| 参数属性 | 2SD2206 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 长体；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 2A TO92MOD |
| 功能描述 | Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 长体 |
| 文件大小 |
119.18 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | TOSHIBA |
| 中文名称 | 东芝 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-10-13 17:11:00 |
| 人工找货 | 2SD2206价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2SD2206三极管、2SD2206晶体管、2SD2206晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
2A
- 最大工作频率：
100MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
2SD1978,2SD1981,
- 最大耗散功率：
0.9W
- 放大倍数：
β>2000
- 图片代号：
A-12
- vtest：
100
- htest：
100000000
- atest：
2
- wtest：
0.9
产品属性
- 产品编号：
2SD2206(T6CNO,A,F)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
- 供应商器件封装：
TO-92MOD
- 描述：
TRANS NPN 100V 2A TO92MOD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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