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2SD2206中文资料Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor) Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

2SD2206

参数属性

2SD2206 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 2A TO92MOD

功能描述

Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor) Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 长体

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2026-2-1 21:19:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD2206

  • 别名:

    2SD2206三极管、2SD2206晶体管、2SD2206晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SD1978,2SD1981,

  • 最大耗散功率:

    0.9W

  • 放大倍数:

    β>2000

  • 图片代号:

    A-12

  • vtest:

    100

  • htest:

    100000000

  • atest:

    2

  • wtest:

    0.9

技术参数

  • 产品编号:

    2SD2206(T6CNO,A,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 1mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92MOD

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 2A TO92MOD

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