| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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to-92 |
36589 |
23+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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10年
留言
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PANASONICNA |
5100 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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12年
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Panasonic Electronic Component3-SIP |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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17年
留言
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Panasonic-SSGMT-3 |
7500 |
24+ |
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12年
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Panasonic Electronic Component3-SIP |
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26+ |
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17年
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Panasonic-SSGMT-3 |
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2SD2178图片
2SD21780RA中文资料Alldatasheet PDF
更多2SD2178制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
2SD21780RA功能描述:TRANS NPN 50VCEO 2A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD21780SA功能描述:TRANS NPN 50VCEO 2A MT-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2178R功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SD2178S功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_输出极 (E)_LO_SAT
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
50V
- 最大电流允许值:
2A
- 最大工作频率:
110MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
1.5W
- 放大倍数:
- 图片代号:
A-70
- vtest:
50
- htest:
110000000
- atest:
2
- wtest:
1.5










