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2SD2257	文件：255.56 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Power Transistors Features • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Low VCE(SAT):VCE(SAT)=1.5V(Max.)@IC=1.5A • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Halogen free available upon request by adding suffix -HF 文件：255.56 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SD2257	文件：129.05 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • High DC current gain • Low saturation voltage • Complement to type 2SB1495 • DARLINGTON APPLICATIONS • High power switching applications • Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：129.05 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2257	文件：213.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • High DC current gain • Low saturation voltage • Complement to type 2SB1495 • DARLINGTON APPLICATIONS • High power switching applications • Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：213.81 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2257	文件：161.32 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS) High-Power Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) • Complementary to 2SB1495 文件：161.32 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2257	文件：141.75 Kbytes Page：4 Pages	High-Power Switching Applications 文件：141.75 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2257	文件：215.41 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：215.41 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2257	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC
2SD2257_06	文件：141.75 Kbytes Page：4 Pages	High-Power Switching Applications 文件：141.75 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2257(CANO,Q,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 3A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2257(Q,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 3A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

型号：
2SD2257
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT61BF,2SD1828,2SD2129,2SD1788,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
3
wtest：
20

技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
Through Hole
VCEO (V)：
100
VCBO (V)：
100
VEBO (V)：
8.0
IC (A)：
3.0
PC (W)：
2.0
HFE：
2000
@IC (mA)：
1000
@VCE (V)：
2.0
ICBO：
10 µA
IEBO：
4.0mA
VCE(sat) (V)：
1.5
VBE(sat) (V)：
2.0
FT (MHz)：
Package Qty：
Tube
FIT：
48; Tj=100℃

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更多2SD2257供应商更新时间2026-4-21 16:01:00

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