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2SD2195

丝印:DP;Package:SOT-89;Transistors

Power Transistor (+/- 100V/ +/- 2A)

文件:70.24 Kbytes 页数:1 Pages

ROHM

罗姆

2SD2195

丝印:DP;Package:SOT-89;Power Transistor (100V , 2A)

Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SB1580 / 2SB1316.

文件:81.2 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SD2195

丝印:DP;Package:SOT-89;Power Transistor (100V, 2A)

Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SB1580 / 2SB1316.

文件:87.76 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SD2195

High gain amplifier Transistor(Darlington)

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •电力増幅用晶体管表面安装型;

ROHM

罗姆

2SD2195T100

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A MPT3

ROHM

罗姆

晶体管资料

  • 型号:

    2SD2195

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SD1472,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

    β=1000-10000

  • 图片代号:

    H-100

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    0

技术参数

  • 封装:

    MPT3

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    1000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-89

  • JEITA Package:

    SC-62

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    NPN

  • Collector Power dissipation PC[W]:

    0.5

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]:

    100

  • Collector current Io(Ic) [A]:

    2

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    4.5x4 (t=1.5)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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