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2SD2164中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SD2164

功能描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

文件大小

128.05 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-1 11:16:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD2164

  • 别名:

    2SD2164三极管、2SD2164晶体管、2SD2164晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    HI_BETA_LO_SAT

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    110MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SD1593,2SD1944,2SD2012,2SD2156,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

    β>800

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    60

  • htest:

    110000000

  • atest:

    3

  • wtest:

    0

2SD2164规格书详情

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

The 2SD2164 is a single power transistor developed especially for high hFE. This transistor is ideal for simplifying drive circuits and reducing power dissipation because its hFE is as high as that of Darlington transistors, but it is a single transistor.

In addition, this transistor features a small resin insulated package, thus contributing to high-density mounting and mounting cost reduction.

FEATURES

• High hFE and low VCE(sat):

hFE ≅ 1,300 TYP. (VCE = 5.0 V, IC = 0.5 A)

VCE(SAT) ≅ 0.3 V TYP. (IC = 2.0 A, IB = 20 mA)

• Full mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

产品属性

  • 型号:

    2SD2164

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
TO-220F
9600
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KEC
23+
TO-TO-220F
922540
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TO-220
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