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2SD2164	文件：128.05 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING The 2SD2164 is a single power transistor developed especially for high hFE. This transistor is ideal for simplifying drive circuits and reducing power dissipation because its hFE is as high as that of Dar 文件：128.05 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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2SD2403-T1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SD2164
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
290MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1944,2SD2012,2SD2152,2SD2156,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
40
htest：
290000000
atest：
3
wtest：
1

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
60
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
7
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
3
VCE(sat) (V) max.：
0.5
hFE min.：
800
hFE max.：
3200
Pc (W)：
20
fT (MHz) typ.：
110
Cob (pF) typ.：
50
Package Type：
MP-45F
Production Status：
EOL

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