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2SD2165

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2165isasinglepowertransistordevelopedespeciallyforhighhFE.ThistransistorisidealforsimplifyingdrivecircuitsandreducingpowerdissipationbecauseitshFEisashighasthatofDar

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

2SD2165

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=800(MIN)@(VCE=5V,IC=1A) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1V(MIN)@(IC=3V,IB=30mA) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuselowfrequ

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2SD2165

SILICON POWER TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

2SD2165_15

SILICON POWER TRANSISTOR

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

晶体管资料

  • 型号:

    2SD2165

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    HI_BETA

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    6A

  • 最大工作频率:

    110MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SD1407,2SD1474,2SD1594,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

    β>800

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    110000000

  • atest:

    6

  • wtest:

    30

详细参数

  • 型号:

    2SD2165

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

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