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2SD2165	文件：118.5 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING The 2SD2165 is a single power transistor developed especially for high hFE. This transistor is ideal for simplifying drive circuits and reducing power dissipation because its hFE is as high as that of Dar 文件：118.5 Kbytes 页数：5 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD2165	文件：240.49 Kbytes Page：7 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING 文件：240.49 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2165	文件：194.67 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 800(MIN)@ (VCE= 5V, IC= 1A) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat) =1V(MIN)@ (IC = 3V, IB= 30mA) • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for use low frequ 文件：194.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2165	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Power Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.\n\nA wide variety of products are rolled out, for example, for uses at high temperature (up to 175°C applicable), high power, and low Vce (sat), and others.	Renesas 瑞萨	Renesas
2SD2165_15	文件：241.09 Kbytes Page：7 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR 文件：241.09 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SD2165
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HI_BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
110MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1407,2SD1474,2SD1594,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β>800
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
110000000
atest：
6
wtest：
30

技术参数

Vcbo (V)：
100
VCEO (V)：
100
Vebo (V)：
7
IC @25 °C (A)：
6
VCE (sat) (V)：
0.5
hFE：
800-3200
Pc (W)：
30
fT (Typical) (GHz)：
0.11
Cob (Typical) (pF)：
50

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