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2SD2144	文件：132.1 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) 2SD2114K / 2SD2144S 文件：132.1 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD2144	文件：300 bytes Page：1 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V/ 0.5A)	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144S	文件：96.46 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE= 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO=12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat)= 0.18V (Typ.) (IC/ IB= 500mA / 20mA) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：96.46 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144S	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：132.83 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144STPU	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：112.63 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144SU	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：132.83 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144SV	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：132.83 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144SW	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：132.83 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144S	文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) 文件：99.44 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144STPU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-72 成形引线；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 0.5A SPT	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD2144(S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
LO_SAT_HI_BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3327,2SC3792,2SD1020,2SD1504,2SD2132,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
β>560
图片代号：
A-57
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.3

详细参数

型号：
2SD2144
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
High-current Gain MediumPower Transistor(20V, 0.5A)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SD2144	罗姆	24+	TO-92S	1200		询价
深圳市弘为电子有限公司	2SD2144	ROHM	24+	原厂封装	2500	原装现货假一罚十	询价
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深圳市蓝山航业科技有限公司	2SD2144STPU	rohm	25+		500000	行业低价,代理渠道	询价
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更多2SD2144供应商更新时间2026-4-20 10:50:00

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