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2SD2144S	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：132.83 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144S	文件：96.46 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE= 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO=12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat)= 0.18V (Typ.) (IC/ IB= 500mA / 20mA) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：96.46 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144S	文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) 文件：99.44 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144STPU	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：112.63 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144SU	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：132.83 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144SV	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：132.83 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144SW	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 文件：132.83 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144STPU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-72 成形引线；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 0.5A SPT	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144STPV	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-72 成形引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 0.5A SPT	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2144STPW	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-72 成形引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 0.5A SPT	ROHM 罗姆	ROHM

详细参数

型号：
2SD2144S
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TRANSISTOR SPT25V .5A .3W ECB
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华来深电子有限公司	2SD2144S	ROHM	25+	SMD	20000	专做罗姆，一系列可以订货排单，只做原装正品假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SD2144S	ROHM	24+	TO-92S	14212		询价
深圳市益百分电子有限公司	2SD2144S	ROHM		TO92	5600	全新原装进口自己库存优势	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SD2144S	ROHM/罗姆	23+	TO-92S	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SD2144S	ROHM/罗姆	23+	TO-92S	12000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SD2144S	ROHM	15+	TO-92S	470	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
上海意淼电子科技有限公司	2SD2144S	ROHM	23+	TO92	20000	全新原装假一赔十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2SD2144S	ROHM	23+	TO-92S	480	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SD2144S	ROHM	22+	TO-92S	20000	公司只有原装品质保证	询价
深圳市弘为电子有限公司	2SD2144STPU	ROHM	24+	原厂封装	4526	原装现货假一罚十	询价

更多2SD2144S供应商更新时间2026-4-20 11:48:00

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