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2SD2162	文件：112.1 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2162isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectlydrivefromtheICoutput.ThistransistorisidealformotordriversandsolenoiddriversinsuchasOAandFAequipm	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SD2162	文件：235.71 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2162isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectlydrivefromtheICoutput.ThistransistorisidealformotordriversandsolenoiddriversinsuchasOAandFA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD2162	文件：273.24 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighhFEduetoDarlingtonconnection :HFE≥2,000@(VCE=2.0V,IC=3.0A) •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)≤1.5V@(IC=3A,IB=3mA) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforlow	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD2162_15	文件：235.71 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SD2162
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1590,2SD1634,2SD1830,2SD2025,2SD2094,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β=6000
图片代号：
B-38
vtest：
150
htest：
999900
atest：
8
wtest：
25

详细参数

型号：
2SD2162
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
SILICON POWER TRANSISTOR

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更多2SD2162供应商更新时间2024-5-16 14:00:00

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