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2SD2161	文件：130.02 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING The 2SD2161 is a Darlington power transistor that can directly drive from the IC output. This transistor is ideal for motor drivers and solenoid drivers in such as OA and FA equipm 文件：130.02 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD2161	文件：281.82 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING The 2SD2161 is a Darlington power transistor that can directly drive from the IC output. This transistor is ideal for motor drivers and solenoid drivers in such as OA and FA eq 文件：281.82 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2161	文件：194.56 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ (VCE= 2V, IC= 2A) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ (IC= 2A, IB= 2mA) APPLICATIONS • Designed for low-frequency power amplifiers and low-spee 文件：194.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2161	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SD2161
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1589,2SD1633,2SD1829,2SD1889,2SD2112,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
β=8000
图片代号：
B-38
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
20

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
100
VCEO (V)：
100
Vebo (V)：
7
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
5
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
2000
hFE max.：
20000
Pc (W)：
20
fT (MHz) typ.：
30
Cob (pF) typ.：
35
Package Type：
MP-45F
Production Status：
EOL

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