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2SD2153	文件：1.68494 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Lowsaturationvoltage ExcellentDCcurrentgaincharacteristics	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD2153	文件：1.71209 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowsaturationvoltage ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD2153	文件：341.18 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES •SmallFlatPackage •GeneralPurposeApplication	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD2153	文件：72.36 Kbytes Page：3 Pages	High gain amplifier transistor (25V, 2A) Features 1)Lowsaturationvoltage, typicallyVCE(sat)=0.12VatIC=IB=1A/20mA 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2153	文件：35.81 Kbytes Page：1 Pages	High Gain Amplifier Transistor Features ●Lowsaturationvoltage. ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD2153	文件：164.58 Kbytes Page：3 Pages	High gain amplifier transistor (25V, 2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2153-U	文件：341.18 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES •SmallFlatPackage •GeneralPurposeApplication	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD2153-V	文件：341.18 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES •SmallFlatPackage •GeneralPurposeApplication	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD2153_09	文件：164.58 Kbytes Page：3 Pages	High gain amplifier transistor (25V, 2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2153_15	文件：990.19 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD2153_15	文件：341.18 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD2153T100U	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 2A MPT3	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2153T100V	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 2A MPT3	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2153T100W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 2A MPT3	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD2153
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HI_BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3439,2SC3727,2SC4357,2SD1950,
最大耗散功率：
放大倍数：
β=390-2700
图片代号：
H-100
vtest：
30
htest：
999900
atest：
3
wtest：
0

详细参数

型号：
2SD2153
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD2153供应商更新时间2023-6-8 12:14:00

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