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2SD2144STPU	文件：112.63 Kbytes Page：4 Pages	High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2144STPU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：SC-72 成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 0.5A SPT	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2144	文件：132.1 Kbytes Page：4 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)2SD2114K/2SD2144S	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD2144S	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2144S	文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2144S	文件：96.46 Kbytes Page：5 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2144SU	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2144SV	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2144SW	文件：132.83 Kbytes Page：4 Pages	High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A) Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

产品属性

产品编号：
2SD2144STPU
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 20mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
820 @ 10mA，3V
频率 - 跃迁：
350MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
SC-72 成形引线
供应商器件封装：
SPT
描述：
TRANS NPN 20V 0.5A SPT

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