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2SD2162	文件：273.24 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighhFEduetoDarlingtonconnection :HFE≥2,000@(VCE=2.0V,IC=3.0A) •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)≤1.5V@(IC=3A,IB=3mA) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforlow	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD2162	文件：235.71 Kbytes Page：8 Pages	SILICONPOWERTRANSISTOR NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2162isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectlydrivefromtheICoutput.ThistransistorisidealformotordriversandsolenoiddriversinsuchasOAandFA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD2162	文件：112.1 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORFORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2162isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectlydrivefromtheICoutput.ThistransistorisidealformotordriversandsolenoiddriversinsuchasOAandFAequipm	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •HighhFEduetoDarlingtonconnection :HFE≥2,000@(VCE=2.0V,IC=3.0A) •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)≤1.5V@(IC=3A,IB=3mA) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforlow

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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SILICONPOWERTRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2162isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectlydrivefromtheICoutput.ThistransistorisidealformotordriversandsolenoiddriversinsuchasOAandFA

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

详细参数

型号：
2SD2162M
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220VAR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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