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深圳市正纳电子有限公司

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深圳市南科功率半导体有限公司

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2SD2185-R(TX)中文资料Alldatasheet PDF

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2SD218制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:XISTOR

2SD2180制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:2SD2180

2SD2182制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:2SD2182

2SD2183功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR

2SD2184制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(Silicon NPN epitaxial planer type)

2SD21840RA功能描述:TRANS NPN 150VCEO 1A MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

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2SD21850RL功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO 3A MINI-PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

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2SD2185R功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89

晶体管资料

  • 型号：

    2SD218

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    150V

  • 最大电流允许值：

    7A

  • 最大工作频率：

    10MHZ

  • 引脚数：

    2

  • 可代换的型号：

    BD245D,2N3442,2SD551,2SD731,2SD732,

  • 最大耗散功率：

    60W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    E-44

  • vtest：

    150

  • htest：

    10000000

  • atest：

    7

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