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2SD2150	文件：498.07 Kbytes Page：4 Pages	LOWFREQUENCYTRANSISTER(20V,3A) FEATURES LowVCE(sat):VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A). Excellentcurrentgaincharacteristics. Complementsthe2SB1424.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD2150	文件：193.68 Kbytes Page：4 Pages	LOWFREQUENCYTRANSISTER FEATURES ●LowVCE(sat):VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A). ●Excellentcurrentgaincharacteristics. ●Complementsthe2SB1424.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SD2150	文件：249.03 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Excellentcurrent-to-gaincharacteristics LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) VCE(sat)=0.5V(max)forIC/IB=2A/0.1A	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2SD2150	文件：373.11 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralusetransistor FEATURES Powerdissipation PCM:0.5WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD2150	文件：113.77 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor(20V,3A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) （IC/IB=2A/0.1A） 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2150	文件：583.81 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SD2150	文件：113.77 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor(20V,3A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) （IC/IB=2A/0.1A） 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2150	文件：799.43 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentcurrentgaincharacteristic,Complementaryto2SB1424. Applications Generalpurposeamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD2150	文件：167.26 Kbytes Page：3 Pages	LowFrequencyTransistor(20V,3A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2150	文件：313.36 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
2SD2150R
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-62

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD2150R供应商更新时间2025-6-4 17:06:00

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