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2SD2130	文件：218.48 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) MicroMotorDrive,HammerDriveApplications SwitchingApplications PowerAmplifierApplications ●HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=2V,IC=1A) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(max)(IC=3A,IB=10mA) ●Zenerdiodeincludedbetweencollectorandbase.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

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2SD2130

文件：218.48 Kbytes

Page：4 Pages

NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

MicroMotorDrive,HammerDriveApplications SwitchingApplications PowerAmplifierApplications ●HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=2V,IC=1A) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(max)(IC=3A,IB=10mA) ●Zenerdiodeincludedbetweencollectorandbase.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

晶体管资料

型号：
2SD2130
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
+Z_DIODE
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1796,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
β=2000-15000
图片代号：
B-25
vtest：
60
htest：
60000000
atest：
4
wtest：
10

详细参数

型号：
2SD2130
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL TYPE(MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

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更多2SD2130供应商更新时间2024-4-27 13:58:00

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