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2SD2130

NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications ● High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) ● Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A, IB = 10 mA) ● Zener diode included between collector and base.

文件:218.48 Kbytes 页数:4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD2131

TO-220F

TOSHIBA

东芝

上传:深圳市博兴电子有限公司

2SD2170T100

SOT89

2SD2403-T1

SOT89

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SD315AI-33

模块

CONCEPT

晶体管资料

  • 型号:

    2SD2130

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    +Z_DIODE

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    60MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SD1796,

  • 最大耗散功率:

    10W

  • 放大倍数:

    β=2000-15000

  • 图片代号:

    B-25

  • vtest:

    60

  • htest:

    60000000

  • atest:

    4

  • wtest:

    10

详细参数

  • 型号:

    2SD2130

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    NPN EPITAXIAL TYPE(MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

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TO-126
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多2SD2130供应商 更新时间2026-1-29 8:22:00