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2SD2140	文件：248.42 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 140V(Min) • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SB1421 APPLICATIONS • Designed for high power amplifications. • Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier 文件：248.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2170T100	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	ROHM 罗姆上传：深圳市美思瑞电子科技有限公司	ROHM
2SD2403-T1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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2SD596-T1B	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SD2140
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD245D,2SC2706,2SC2837,2SC3182,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
140
htest：
20000000
atest：
7
wtest：
80

详细参数

型号：
2SD2140
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon NPN Power Transistor

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