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2SD2108

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

文件:351.85 Kbytes 页数:4 Pages

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD2108

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 4A • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 4A, VCE= 3V APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications

文件:243.85 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD2114KT146V

SMT3HP

ROHM/罗姆

上传:深圳广友电子有限公司

ROHM/罗姆

2SD2114KT146W

SOT23

ROHM/罗姆

上传:深圳广友电子有限公司

ROHM/罗姆

2SD2131

TO-220F

TOSHIBA

东芝

上传:深圳市博兴电子有限公司

晶体管资料

  • 型号:

    2SD2108

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD645F,BD647F,2SC4062,2SD1415,2SD1416,2SD1590,2SD1830,2SD1928,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-45

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    25

详细参数

  • 型号:

    2SD2108

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全称:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon NPN Darlington Power Transistor

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更多2SD2108供应商 更新时间2026-4-2 16:01:00