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2SD2110	文件：268.79 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 2A • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 2A, VCE= 3V APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications 文件：268.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2114KT146V	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMT3HP	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆
2SD2114KT146W	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆
2SD2131	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	TOSHIBA 东芝上传：深圳市博兴电子有限公司	TOSHIBA
2SD2170T100	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	ROHM 罗姆上传：深圳市美思瑞电子科技有限公司	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD2110
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT61F,BDT61AF,BDT61BF,BDT61CF,2SC4352,2SD1414,2SD1689,2SD1829,2SD1933,2SD2014,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-45
vtest：
80
htest：
999900
atest：
4
wtest：
25

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更多2SD2110供应商更新时间2026-1-17 18:54:00

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