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2SD2136	文件：126.94 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
2SD2136	文件：1.30854 Mbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES HighForwardCurrentTransferRatiohFEWhichhas SatisfactoryLinearity. LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat) AllowingSupplywiththeRadialTaping	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SD2136	文件：86.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type Forpoweramplification Complementaryto2SB1416 ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity. •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) •Allowingsupplywiththeradialtaping	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
2SD2136	文件：82.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type Forlow-frequencypoweramplification Complementaryto2SD2136 ■Features •HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) •Allowingautomaticinsertionwithradialtaping	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
2SD2136	文件：114.96 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTOR POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD2136isdesignedforpoweramplification. FEATURES HighforwardcurrenttransferratiohFEwhichhassatisfactorylinearity. LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(SAT). *Allowingsupplywiththeradialtaping.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SD2136	文件：258.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ●Lowfrequencypoweramplifier ●LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat) ●HighForwardCurrentTransferRatiohFEWhichhasSatisfactoryLinearity CollectortoBaseVoltageVCBO60V CollectortoEmitterVoltageVCEO60V EmittertoBaseVoltageVEBO6V CollectorCurrent	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SD2136	文件：775.11 Kbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
2SD2136	文件：169.98 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SD2136	文件：168.47 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SD2136	文件：272.88 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SD2136-P	文件：258.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ●Lowfrequencypoweramplifier ●LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat) ●HighForwardCurrentTransferRatiohFEWhichhasSatisfactoryLinearity CollectortoBaseVoltageVCBO60V CollectortoEmitterVoltageVCEO60V EmittertoBaseVoltageVEBO6V CollectorCurrent	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SD2136-Q	文件：258.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ●Lowfrequencypoweramplifier ●LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat) ●HighForwardCurrentTransferRatiohFEWhichhasSatisfactoryLinearity CollectortoBaseVoltageVCBO60V CollectortoEmitterVoltageVCEO60V EmittertoBaseVoltageVEBO6V CollectorCurrent	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SD2136-R	文件：258.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ●Lowfrequencypoweramplifier ●LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat) ●HighForwardCurrentTransferRatiohFEWhichhasSatisfactoryLinearity CollectortoBaseVoltageVCBO60V CollectortoEmitterVoltageVCEO60V EmittertoBaseVoltageVEBO6V CollectorCurrent	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SD2136-TU	文件：1.30854 Mbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES HighForwardCurrentTransferRatiohFEWhichhas SatisfactoryLinearity. LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat) AllowingSupplywiththeRadialTaping	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SD2136_09	文件：168.47 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SD2136_11	文件：169.98 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SD2136_15	文件：258.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SD2136_15	文件：198.44 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SD2136G-X-AA3-R	文件：198.44 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SD2136G-X-T60-K	文件：168.47 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司

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晶体管资料

型号：
2SD2136
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_输出极（E）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD177,BD179,BD189,2SD794,2SD794A,
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
60
htest：
999900
atest：
3
wtest：
1.5

详细参数

型号：
2SD2136
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD2136供应商更新时间2024-4-27 14:30:00

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