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2SD2136	文件：86.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification Complementary to 2SB1416 ■ Features • High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity. • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Allowing supply with the radial taping 文件：86.32 Kbytes 页数：3 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD2136	文件：82.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type For low-frequency power amplification Complementary to 2SD2136 ■ Features • High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Allowing automatic insertion with radial taping 文件：82.07 Kbytes 页数：3 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD2136	文件：114.96 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD2136 is designed for power amplification. FEATURES * High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity. * Low collector to emitter saturation voltage VCE(SAT). * Allowing supply with the radial taping. 文件：114.96 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD2136	文件：258.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Low frequency power amplifier ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) ● High Forward Current Transfer Ratio hFE Which has Satisfactory Linearity Collector to Base Voltage VCBO 60V Collector to Emitter Voltage VCEO 60V Emitter to Base Voltage VEBO 6V Collector Current 文件：258.62 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2136	文件：1.30854 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D2136；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Forward Current Transfer Ratio hFE Which has Satisfactory Linearity. Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Allowing Supply with the Radial Taping 文件：1.30854 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD2136	文件：126.94 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.94 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SD2136	文件：272.88 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：272.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2136	文件：775.11 Kbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：775.11 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD2136	文件：168.47 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR 文件：168.47 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD2136	文件：169.98 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR 文件：169.98 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

PCM(W)：
1.25
IC(A)：
3
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
60
VEBO(V)：
6
hFEMin：
40
hFEMax：
250
hFE@VCE(V)：
4
hFE@IC(A)：
1
VCE(sat)(V)：
1.2
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
3
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.375
Package：
TO-126

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