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2SD2136分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号	2SD2136
参数属性	2SD2136 封装/外壳为3-SIP；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 60V 3A MT-3
功能描述	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors
丝印标识	D2136
封装外壳	TO-126 / 3-SIP
文件大小	1.30854 Mbytes
页面数量	4 页
生产厂商	DGNJDZ
中文名称	南晶电子
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-1-26 17:06:00
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晶体管资料

型号：
2SD2136
别名：
2SD2136三极管、2SD2136晶体管、2SD2136晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_输出极（E）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD177,BD179,BD189,2SD794,2SD794A,
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
60
htest：
999900
atest：
3
wtest：
1.5

2SD2136规格书详情

FEATURES

High Forward Current Transfer Ratio hFE Which has

Satisfactory Linearity.

Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)

Allowing Supply with the Radial Taping

产品属性

产品编号：
2SD21360RA
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
300µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1A，4V
频率 - 跃迁：
220MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
3-SIP
供应商器件封装：
MT-3-A1
描述：
TRANS NPN 60V 3A MT-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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