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2SD2129分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SD2129

参数属性

2SD2129 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 3A TO220NIS

功能描述

NPN TRIPLE DIFFUSE TYPE (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVER APPLICATIONS)

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

201.41 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-26 17:32:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD2129

  • 别名:

    2SD2129三极管、2SD2129晶体管、2SD2129晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SD1414,2SD1788,2SD1828,2SD2014,2SD2015,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

    β=2000-15000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    20

2SD2129规格书详情

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (DARLINGTON)

HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS

产品属性

  • 产品编号:

    2SD2129,LS4ALPSQ(M

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 12mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 1.5A,3V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 3A TO220NIS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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