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2SD2136	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor The UTC 2SD2136 is designed for power amplification. • High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity. \n• Low collector to emitter saturation voltage VCE(SAT). \n• Allowing supply with the radial taping.;	UTC 友顺	UTC
2SD2136	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SD2136-P	文件：258.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Low frequency power amplifier ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) ● High Forward Current Transfer Ratio hFE Which has Satisfactory Linearity Collector to Base Voltage VCBO 60V Collector to Emitter Voltage VCEO 60V Emitter to Base Voltage VEBO 6V Collector Current 文件：258.62 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2136-Q	文件：258.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Low frequency power amplifier ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) ● High Forward Current Transfer Ratio hFE Which has Satisfactory Linearity Collector to Base Voltage VCBO 60V Collector to Emitter Voltage VCEO 60V Emitter to Base Voltage VEBO 6V Collector Current 文件：258.62 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2136-R	文件：258.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Low frequency power amplifier ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) ● High Forward Current Transfer Ratio hFE Which has Satisfactory Linearity Collector to Base Voltage VCBO 60V Collector to Emitter Voltage VCEO 60V Emitter to Base Voltage VEBO 6V Collector Current 文件：258.62 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2136-TU	文件：1.30854 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D2136；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Forward Current Transfer Ratio hFE Which has Satisfactory Linearity. Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Allowing Supply with the Radial Taping 文件：1.30854 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD2136_09	文件：168.47 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR 文件：168.47 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD2136_11	文件：169.98 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR 文件：169.98 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD2136_15	文件：198.44 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR 文件：198.44 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD2136_15	文件：258.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor 文件：258.62 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

晶体管资料

型号：
2SD2136
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_输出极（E）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD177,BD179,BD189,2SD794,2SD794A,
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
60
htest：
999900
atest：
3
wtest：
1.5

技术参数

PCM(W)：
1.25
IC(A)：
3
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
60
VEBO(V)：
6
hFEMin：
40
hFEMax：
250
hFE@VCE(V)：
4
hFE@IC(A)：
1
VCE(sat)(V)：
1.2
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
3
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.375
Package：
TO-126

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