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2SD2106	文件：35.77 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：35.77 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD2106	文件：149.93 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：149.93 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2106	文件：245.14 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 3A, VCE= 3V APPLICATIONS ·Design 文件：245.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2106	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN EpitaxialApplication\nLow frequency power amplifier	HITACHI 日立	HITACHI

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