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2SD2106 | Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件:35.77 Kbytes 页数:6 Pages | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | HITACHI | |
2SD2106 | Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件:149.93 Kbytes 页数:7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
2SD2106 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 3A, VCE= 3V APPLICATIONS ·Design 文件:245.14 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2SD2106 | Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN EpitaxialApplication\nLow frequency power amplifier | HITACHI 日立 | HITACHI |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Darl+Di
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
120V
- 最大电流允许值:
6A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD649F,BD651F,2SD1336,2SD1590,2SD1829,2SD1889,
- 最大耗散功率:
25W
- 放大倍数:
β>1000
- 图片代号:
B-45
- vtest:
120
- htest:
999900
- atest:
6
- wtest:
25
详细参数
- 型号:
2SD2106
- 制造商:
ISC
- 制造商全称:
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述:
Silicon NPN Darlington Power Transistor
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220F |
10000 |
全新 |
询价 | |||
HITACHI/日立 |
22+ |
TO-220F |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
HITACHI |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
HITACHI |
23+ |
TO-220F |
100000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
2447 |
TO-220F |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
SIT |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
SIT |
23+ |
TO-220 |
7000 |
询价 | |||
HITACHI |
24+ |
TO-220F |
48650 |
原装正品 特价现货(香港 新加坡 日本) |
询价 |
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