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2SD2106

Silicon NPN Epitaxial

Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier

文件:35.77 Kbytes 页数:6 Pages

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD2106

Silicon NPN Epitaxial

Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier

文件:149.93 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD2106

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 3A, VCE= 3V APPLICATIONS ·Design

文件:245.14 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD2106

Silicon NPN Epitaxial

Silicon NPN EpitaxialApplication\nLow frequency power amplifier

HITACHI

日立

晶体管资料

  • 型号:

    2SD2106

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD649F,BD651F,2SD1336,2SD1590,2SD1829,2SD1889,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-45

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    6

  • wtest:

    25

详细参数

  • 型号:

    2SD2106

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全称:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon NPN Darlington Power Transistor

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更多2SD2106供应商 更新时间2026-1-17 16:01:00