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2SD1781	文件：78.24 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor 0.8A,40VNPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES VerylowVCE(sat).VCE(sat)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1781	文件：1.64668 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES VerylowVCE(sat).VCE(sat)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD1781	文件：828.97 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD1781	文件：324.82 Kbytes Page：2 Pages	MediumPowerTransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SD1781A	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	NPNLowVce(sat)Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.14V(max)@Ic/Ib=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
2SD1781K	文件：129.46 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD1781K	文件：621.22 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1781K	文件：59.81 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,0.8A) MediumPowerTransistor(32V,0.8A) Features 1)VeryLowVCE(sat). VCE(sat)=0.1V(Typ.) ̈́IC/IB=500УA/50mAͅ 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)Complementsthe2SB1197K.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1781K	文件：697.52 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD1781K	文件：93.29 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,0.8A) MediumPowerTransistor(32V,0.8A) Features 1)VeryLowVCE(sat). VCE(sat)=0.1V(Typ.) ̈́IC/IB=500УA/50mAͅ 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)Complementsthe2SB1197K.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1781K	文件：37.48 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerTransistor MediumPowerTransistor Features VeryLowVCE(sat).VCE(sat)=-0.1V(Typ.)IC/IB=500mA/50mA Highcurrentcapacityincompactpackage.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1781K	文件：702.06 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES VerylowVCE(sat).VCE(sat)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1781K	文件：53.92 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,0.8A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1781KPT	文件：197.94 Kbytes Page：4 Pages	NPNSwitchingTransistor	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
2SD1781KQ	文件：907 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN
2SD1781KR	文件：484.15 Kbytes Page：7 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSMEDIUMPOWERTRANSISTOR(32V,0.8A)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
2SD1781KR	文件：907 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN

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