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2SD1802	文件：128.6 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications High-Current Switching Applications Applications · Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · Large currrent capacity and wide ASO. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Fast switching speed. · Small and 文件：128.6 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1802	文件：300.61 Kbytes Page：4 Pages	HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION ■ DESCRIPTION The UTC 2SD1802 applies to voltage regulators, relay drivers, lamp drivers and electrical equipment. ■ FEATURES * Adoption of FBET, MBIT processes * Large current capacity and wide ASO * Low collector-to-emitter saturation voltage * Fast switching speed 文件：300.61 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD1802	文件：243.39 Kbytes Page：4 Pages	NPN PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS NPN PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS Pb Lead(Pb)-Free 文件：243.39 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
2SD1802	文件：331.83 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Large current capacitance and wide ASO • Small and slim package making it easy to make2SD1802/ 2SB1202-used set smaller • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and 文件：331.83 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1802	文件：297.22 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Large current capacitance and wide ASO ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed APPLICATIONS ·Voltage regulators,relay drivers,lamp drivers, electrical equipment 文件：297.22 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1802	文件：279.56 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Large current capacitance and wide ASO ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed APPLICATIONS ·Voltage regulators,relay drivers,lamp drivers, electrical equipment 文件：279.56 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1802	文件：171.16 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：171.16 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SD1802	文件：95.05 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：95.05 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
2SD1802	文件：582.43 Kbytes Page：3 Pages	Transistor (npn) 文件：582.43 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1802	文件：1.02689 Mbytes Page：3 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.02689 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

晶体管资料

型号：
2SD1802
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）_LO.SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3303,2SD1221,2SD1252,2SD1448,2SD1815,2SD1816,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
3
wtest：
15

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
5
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.94
hFE Min：
140
hFE Max：
280
PTM Max (W)：
1
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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