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2SD1781A	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	NPN Low Vce(sat) Transistor Features  Silicon NPN epitaxial type  Low Vce(sat) 0.14V(max)@Ic/Ib= 1A/100mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 standard 文件：270.48 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2SD1781A_R1_00001	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	丝印：D81；Package：SOT-23；NPN Low Vce(sat) Transistor Features  Silicon NPN epitaxial type  Low Vce(sat) 0.14V(max)@Ic/Ib= 1A/100mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 standard 文件：270.48 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2SD1781A_R2_00001	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	丝印：D81；Package：SOT-23；NPN Low Vce(sat) Transistor Features  Silicon NPN epitaxial type  Low Vce(sat) 0.14V(max)@Ic/Ib= 1A/100mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 standard 文件：270.48 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2SD1781A	文件：300 bytes Page：1 Pages	低电压双极晶体管	Panjit 強茂	Panjit
2SD1781A_R1_00001	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 3A SOT23	Panjit International Inc.	Panjit International Inc.

技术参数

Type：
NPN
VCBO Max.[V]：
100
VCEO Max.[V]：
50
IC Max.[mA]：
3000
VCE(sat)Max.[V]：
0.14
VCE(sat)Max.[IC.mA]：
1000
VCE(sat)Max.[IB.mA]：
100
hFE(Min)：
300
hFE(Max)：
900
hFE(VCE[V])：
5
hFE(IC[mA])：
500
PTOT Max.[mW]：
1250
fT Min.[MHz]：
250
Package：
SOT-23

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更多2SD1781A供应商更新时间2026-1-19 17:05:00

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