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2SD1781	文件：78.24 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor 0.8A,40VNPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES VerylowVCE(sat).VCE(sat)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1781	文件：1.64668 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES VerylowVCE(sat).VCE(sat)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SD1781	文件：828.97 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SD1781	文件：324.82 Kbytes Page：2 Pages	丝印：AF；Package：SOT-23；Medium Power Transistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
2SD1781	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors	WillasWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司
2SD1781	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN)	RM TECHNOLOGY 瑞美科	RM TECHNOLOGY
2SD1781	文件：300 bytes Page：1 Pages	32V,0.8A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	GalaxyGalaxy Power, Inc. 银河微
2SD1781A	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	NPN Low Vce(sat) Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.14V(max)@Ic/Ib=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2SD1781A_R1_00001	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	丝印：D81；Package：SOT-23；NPN Low Vce(sat) Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.14V(max)@Ic/Ib=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2SD1781A_R2_00001	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	丝印：D81；Package：SOT-23；NPN Low Vce(sat) Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.14V(max)@Ic/Ib=1A/100mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

技术参数

PCM(W)：
0.2
IC(A)：
0.8
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
32
VEBO(V)：
5
hFEMin：
120
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
3
hFE@IC(A)：
0.1
VCE(sat)(V)：
0.4
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
SOT-23

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更多2SD1781供应商更新时间2023-6-8 12:14:00

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