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2SD1898	文件：123 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTOR FEATURES * High VCEO= 80V * High IC= 1A (DC) * Good hFE linearity. * Low VCE(SAT) * Complements the 2SB1260. 文件：123 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD1898	文件：112.11 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial Planar NPN Transistors Epitaxial Planar NPN Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：112.11 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
2SD1898	文件：89.47 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DF；Package：SOT-89；Power Transistor (80V, 1A) ● Features 1) High VCEO, VCEO = 80V 2) High IC, IC = 1A (DC) 3) Good hFE linearity. 4) Low VCE(sat). 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181. 文件：89.47 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1898	文件：112.31 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DF；Package：SOT-89；Power Transistor (80V, 1A) ● Features 1) High VCEO, VCEO = 80V 2) High IC, IC = 1A (DC) 3) Good hFE linearity. 4) Low VCE(sat). 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181. 文件：112.31 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1898	文件：172.22 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor FEATURES ● High VCEO,VCEO=80V. ● High IC,IC=1A(DC). ● Good HFE Linearity. ● Low VCE(sat). ● Complement the 2SB1260. APPLICATIONS ● NPN silicon transistor. 文件：172.22 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SD1898	文件：317.24 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ● High Breakdown Voltage and Current ● Excellent DC Current Gain Linearity ● Complement the 2SB1260 ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：317.24 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SD1898	文件：1.50291 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High Breakdown Voltage and Current ● Excellent DC Current Gain Linearity ● Complement the 2SB1260 ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：1.50291 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD1898	文件：51.14 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features ● High VCEO, VCEO=80V . ● High IC, IC=1A (DC) . ● Good hFE linearity . ● Low VCE (sat) . 文件：51.14 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1898	文件：777.43 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DF；Package：SOT-89；Power Transistor(80V,1A) FEATURES High VCEO,VCEO=80V. High IC,IC=1A(DC). Good HFE Linearity. Low VCE(sat). Complement the 2SB1260. APPLICATIONS NPN silicon transistor. 文件：777.43 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD1898	文件：176.86 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High VCEO ● High IC ● Good hFE linearity ● Low VCE (sat) 文件：176.86 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

晶体管资料

型号：
2SD1898
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX56,2SC2881,2SC3444,2SC3646,2SD874A,2SD1005,2SD1386,2SD1418,2SD1419,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
100
htest：
100000000
atest：
1
wtest：
0

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
80.0
Collector current Io(Ic) [A]：
1.0
hFE：
120 to 390
hFE (Min.)：
120
hFE (Max.)：
390
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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