2SD1898分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	2SD1898
参数属性	2SD1898 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 1A MPT3
功能描述	Power Transistor (80V, 1A) TRANS NPN 80V 1A MPT3
丝印标识	DF
封装外壳	SOT-89 / TO-243AA
文件大小	89.47 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	ROHM
中文名称	罗姆
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-15 16:31:00
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2SD1898规格书详情

2SD1898属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SD1898晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

● Features

1) High VCEO, VCEO = 80V

2) High IC, IC = 1A (DC)

3) Good hFE linearity.

4) Low VCE(sat).

5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181.

产品属性

产品编号：
2SD1898T100Q
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 20mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，3V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
MPT3
描述：
TRANS NPN 80V 1A MPT3

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