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2SD999	文件：222.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The2SD999isdesignedforaudiofrequencypoweramplifierapplication,especiallyinHybridIntegratedCircuits.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SD999	文件：51.25 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ●Worldstandardminiaturepackage:SOT-89. ●Lowcollectorsaturationvoltage. ●Excellentdccurrentgainlinearity.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD999	文件：343.46 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●MiniPowerTypePackage ●ExcellentDCCurrentGainLinearity	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD999	文件：488.86 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor FEATURES ●LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SD999	文件：1.19082 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●MiniPowerTypePackage ●ExcellentDCCurrentGainLinearity	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SD999	文件：188.03 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD999	文件：1.26575 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellenthFElinearity,complementsthe2SB798. Applications Audiofrequencypoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD999	文件：351.15 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR POWERMINIMOLD	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD999	文件：814.42 Kbytes Page：5 Pages	Marking：CM；Package：SOT-89；NPN Silicon Epitaxial Transistor FEATURES LowCollectorSaturationVoltage: VCE(sat)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD999CK	文件：499.3 Kbytes Page：5 Pages	(NPN) Plastic-Encapsulate Transistor FEATURES ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●MiniPowerTypePackage ●ExcellentDCCurrentGainLinearity ●MoistureSensitivityLevel1	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS

详细参数

型号：
2SD999
制造商：
HTSEMI
制造商全称：
Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.
功能描述：
TRANSISTOR(NPN)

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更多2SD999供应商更新时间2025-7-12 14:14:00

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