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ST(意法半导体)N/A

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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2SD882中文资料Alldatasheet PDF

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2SD882功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SD882_05制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR

2SD882_07制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:NPN medium power transistor

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2SD882-AZ制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN Power Transistor, 30V, 3A, TO-126 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin TO-126

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产品属性

  • 产品编号：

    2SD882

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    1.1V @ 150mA，3A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 100mA，2V

  • 频率 - 跃迁：

    100MHz

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供应商器件封装：

    SOT-32（TO-126）

  • 描述：

    TRANS NPN 30V 3A SOT32

晶体管资料

  • 型号：

    2SD882

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_LO.SAT

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    40V

  • 最大电流允许值：

    6A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BD785,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,2SD794,2SD794A,3DA92A,

  • 最大耗散功率：

    70W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    B-21

  • vtest：

    40

  • htest：

    999900

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    6

  • wtest：

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