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2SD669	文件：36.07 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB649/A(PNP) 文件：36.07 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD669	文件：77.11 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS * Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 2SB649/A 文件：77.11 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD669	文件：280.24 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Capable of 1 Watts of Power Dissipation. • Collector-current 1.5A • Collector-base Voltage 180V • 文件：280.24 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SD669	文件：245.17 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistors NPN Epitaxial Planar Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：245.17 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SD669	文件：276.3 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB649/649A(PNP) ·High breakdown voltage VCEO:120/160V ·High current 1.5A ·Low saturation voltage,excellent hFElinearity APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：276.3 Kbytes 页数：5 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD669	文件：242.48 Kbytes Page：3 Pages	NPN Type Plastic Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 1mW（Tamb=25℃） Collector current ICM : 1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 180 V Collector-emitter voltage VCEO 2SD669 : 120 V 2SD669A : 160 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：242.48 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD669	文件：1.22636 Mbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair with 2SB649 / 2SB649A 文件：1.22636 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD669	文件：1.56799 Mbytes Page：5 Pages	TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair with 2SB649 文件：1.56799 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD669	文件：172.73 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 180 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：172.73 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SD669	文件：211.26 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB649/A 文件：211.26 Kbytes 页数：2 Pages	KOOCHIN 灏展电子	KOOCHIN

晶体管资料

型号：
2SD669(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_视频输出（Vi
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
140MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3117,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
180
htest：
140000000
atest：
1.5
wtest：
20

技术参数

PCM(W)：
1
IC(A)：
1.5
VCBO(V)：
180
VCEO(V)：
120
VEBO(V)：
5
hFEMin：
60
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
5
hFE@IC(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-126

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