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2SD669分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SD669

参数属性

2SD669 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 1.5A TO126

功能描述

Silicon NPN Epitaxial

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

36.07 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

HITACHI Hitachi Semiconductor

中文名称

日立 日立公司

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-27 22:58:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD669(A)

  • 别名:

    2SD669三极管、2SD669晶体管、2SD669晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_视频输出 (Vi

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    180V

  • 最大电流允许值:

    1.5A

  • 最大工作频率:

    140MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC3117,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    180

  • htest:

    140000000

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    20

2SD669规格书详情

Application

Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB649/A(PNP)

产品属性

  • 产品编号:

    2SD669A-C-BP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 1.5A TO126

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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