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2SD1619	文件：140.93 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:500mW˄Tamb=25°C Collectorcurrent ICM:-1A Collector-basevoltage VB(BR)CBO:-25V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55ćto+150ć	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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