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2SD1766	文件：107.46 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.5V (Typ.)(IC/IB= 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：107.46 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1766	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 2A) FTR • FTL Low profile flat-package for limited spece applications. Tape type can be used on automated line. Bulk type is also available. 文件：124.57 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1766	文件：176.4 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.5V (Typ.)(IC/IB= 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：176.4 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1766	文件：175.74 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Low saturation voltage:VCE(sat)=0.5V(Typ.) ● PC=0.5W(Mounted on ceramic substrate) ● Small flat package. ● Complementary pair with 2SB1188. APPLICATIONS ● Power amplifier application. 文件：175.74 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SD1766	文件：725.67 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low VCE(s 文件：725.67 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SD1766	文件：36.29 Kbytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor Features ● Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (typical) (IC = 2A, IB = 0.2A). 文件：36.29 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1766	文件：248.31 Kbytes Page：2 Pages	2A, 40V NPN Epitaxial Planar Transistor DESCRIPTION The 2SD1766 is suited for the output stage of 0.5W audio, voltage regulator, and relay driver. 文件：248.31 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD1766	文件：224.04 Kbytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (typical) (IC = 2A, IB= 0.2A). 文件：224.04 Kbytes 页数：1 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1766	文件：480.3 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DBP；Package：SOT-89；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Low saturation voltage:VCE(sat)=0.5V(Typ.) PC=0.5W(Mounted on ceramic substrate) Small flat package. Complementary pair with 2SB1188. APPLICATIONS Power amplifier application. 文件：480.3 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD1766	文件：126.85 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 2 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.85 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

晶体管资料

型号：
2SD1766
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2873,2SC3443,2SD1119,2SD1614,2SD1623,2SD1766,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
40
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
2
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
32
VEBO(V)：
5
hFEMin：
82
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
3
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.8
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
Package：
SOT-89

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更多2SD1766供应商更新时间2026-4-17 9:01:00

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