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2SD1766Q	文件：369 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：369 Kbytes 页数：4 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
2SD1766R	文件：369 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：369 Kbytes 页数：4 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
2SD1766-SOT89	文件：2.25532 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：2.25532 Mbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SD1766-P	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC
2SD1766-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC
2SD1766T100P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 32V 2A MPT3	ROHM 罗姆	ROHM
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晶体管资料

型号：
2SD1766
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2873,2SC3443,2SD1119,2SD1614,2SD1623,2SD1766,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
40
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
2
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
32
VEBO(V)：
5
hFEMin：
82
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
3
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.8
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
Package：
SOT-89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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