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2SD1619-U	文件：1.31108 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1619	文件：845.48 Kbytes Page：3 Pages	Powerdissipation,Collectorbasevoltage	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1619	文件：140.93 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:500mW˄Tamb=25°C Collectorcurrent ICM:-1A Collector-basevoltage VB(BR)CBO:-25V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55ćto+150ć	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1619	文件：51.73 Kbytes Page：1 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features Verysmallsizemakingiteasytoprovidehighdensity,small-sizedhybridIC’s.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1619	文件：85.62 Kbytes Page：3 Pages	LFAmp,ElectronicGovernorApplications LFAmplifier,ElectronicGovernorApplications Features ·Verysmallsizemakingiteasytoprovidehighdensity,small-sizedhybridIC’s.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1619	文件：260.779 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=25V(Min) •ComplementtoType2SB1119 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •DesignedforLFAmpElectronicGovernorapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1619-R	文件：1.31108 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1619-S	文件：1.31108 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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更多2SD1619-U供应商更新时间2024-9-23 16:42:00

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