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2SD1622	文件：94.91 Kbytes Page：5 Pages	Low-Frequency Power Amplifier Applications Low-Frequency Power Amplifier Applications Features • Adoption of FBET process. • Very small size making it easy to provide highdensity hybrid IC’s. Applications • Voltage regulators relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. 文件：94.91 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1623	文件：114.81 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Large current capacity and wide ASO. • Fast switching speed. • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied 文件：114.81 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1623	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Large current capacity and wide ASO. • Fast switching speed. • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied 文件：105 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1623	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1623	文件：56.51 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Large current capacity and wide ASO. ● Fast switching speed. ● Complementary to 2SB1123 文件：56.51 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1623S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1623S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1623S-TD-E	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Large current capacity and wide ASO. • Fast switching speed. • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied 文件：105 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1623T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1623T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
2SD1614
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD2873,2SC3443,2SD1119,2SD1367,2SD1620,2SD1766,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
40
htest：
200000000
atest：
2
wtest：
0

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
20
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
2
VCE(sat) (V) max.：
0.5
hFE min.：
135
hFE max.：
600
Pc (W)：
2
fT (GHz) typ.：
0.2
fT (MHz) typ.：
200
Cob (pF) typ.：
28
Package Type：
3pinPoMM_E_
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD16供应商更新时间2026-2-4 14:00:00

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