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2SD1638	文件：44.02 Kbytes Page：1 Pages	EpItaxial Planar NPN Silicon Darlington Transistor Low Freq. Power Amp. EpItaxial Planar NPN Silicon Darlington Transistor 文件：44.02 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1638	文件：74.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • DARLINGTON APPLICATIONS • For low frequency and power amplifier applications 文件：74.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SD1640	文件：153.11 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planar darlington type AF output amplifier For low-frequency output amplification ■Features •High forward current transfer ratio hFE •Large peak collector current ICP •High collector-emitter voltage (Base open) VCEO 文件：153.11 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1641	文件：107.99 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH DC CURRNT GAIN,HIGH POWER AMPLIFIER TV POWER SOURCE OUTPUT Silicon PNP Triple-Diffused Planar Type High DC Current Gain (hFE), High Power Amplifier TV Power Source Output Features ● Wide area of safety operation (ASO) ● Protective avalanche diode built-in ● High DC current gain (hFE) ● Good linearity of DC current gain (hFE) 文件：107.99 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1646	文件：245.47 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min.) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 1A • Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：245.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1646	文件：48.64 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR Features 1) Darlington connection provides high DC current gain (hFE). 2) Damper diode is incorporated. 3) Built-in resistance across base and emitter. 文件：48.64 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1646	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1647	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1647	文件：52.52 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：52.52 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1649	文件：136.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·Built-in damper diode ·High voltage ,high speed APPLICATIONS ·For color TV horizontal deflection output applications 文件：136.82 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SD1614
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD2873,2SC3443,2SD1119,2SD1367,2SD1620,2SD1766,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
40
htest：
200000000
atest：
2
wtest：
0

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
20
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
2
VCE(sat) (V) max.：
0.5
hFE min.：
135
hFE max.：
600
Pc (W)：
2
fT (GHz) typ.：
0.2
fT (MHz) typ.：
200
Cob (pF) typ.：
28
Package Type：
3pinPoMM_E_
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SD1614	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-89	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SD1614	NEC	24+	SOT-89	58200	新进库存/原装	询价
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深圳市振宏微科技有限公司	2SD1614	SMD	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	2SD1614	原装NEC	19+	SOT-89	20000		询价
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更多2SD16供应商更新时间2026-2-5 10:01:00

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