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2SD1624S-TD-H	文件：458.08 Kbytes Page：7 Pages	丝印：2SD1624；Package：PCP；High Current Switching Applications 文件：458.08 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1624T-TD-E	文件：458.08 Kbytes Page：7 Pages	丝印：2SD1624；Package：PCP；High Current Switching Applications 文件：458.08 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
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2SD1601	文件：251.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 2A • Complement to Type 2SB1101 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：251.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1602	文件：251.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 2A • Complement to Type 2SB1102 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：251.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1603	文件：251.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min) ·High DC Current Gain: hFE= 1000(Min) @IC= 4A ·Complement to Type 2SB1103 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：251.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1603	文件：403.44 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104 SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104 文件：403.44 Kbytes 页数：2 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1604	文件：403.44 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104 SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104 文件：403.44 Kbytes 页数：2 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1604	文件：251.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 4A • Complement to Type 2SB1104 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：251.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1605	文件：250.17 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 1.5A • Complement to Type 2SB1105 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：250.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
2SD1624T-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS NPN 50V 3A PCP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SD1624T-TD-E	ON(安森美)	24+	标准封装	9048	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
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更多2SD16供应商更新时间2025-10-13 16:46:00

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