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2SD1601	文件：251.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=2A •ComplementtoType2SB1101 APPLICATIONS •Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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2SD1601

文件：251.45 Kbytes

Page：2 Pages

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=2A •ComplementtoType2SB1101 APPLICATIONS •Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

晶体管资料

型号：
2SD1601
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD715,BDW23A,BDW53A,2SD686,2SD837,2SD1190,2SD1276,2SD1392,2SD1595,2SD1932,3DK205B,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-44
vtest：
60
htest：
999900
atest：
4
wtest：
40

详细参数

型号：
2SD1601
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 60V 4A 40W BCE

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更多2SD1601供应商更新时间2024-4-29 10:20:00

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